首页 Products Field Effect Transistor (MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TN6403PSG P N/A Trench -30 ±20 -6 -1 -2.5 35mΩ(Max.) 58mΩ(Max.) SOT-23-6 MP 申请样品
TN04P40SG P N/A Trench -40 ±20 -4 -1 -2.5 68mΩ(Max.) 90mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN04P60SG P N/A Trench -60 ±20 -4 -1 -2.5 80mΩ 98mΩ SOT-23-6 EOL 申请样品
TNG04P60SG P N/A SGT -60 ±20 -4 -1 -2.5 95mΩ(Max.) 130mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TNG05P60SG P N/A SGT -60 ±20 -5 -1 -2.5 76mΩ(Max.) 115mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN4603CSG N N/A Trench 20 ±12 3 0.4 1 23mΩ 30mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN4603CSG P N/A Trench -20 ±12 -3 -0.4 -1 78mΩ 102mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN4603CSG-S N N/A Trench 20 ±12 2 0.4 1 55mΩ(Max.) 85mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN4603CSG-S P N/A Trench -20 ±12 -2 -0.4 -1 120mΩ(Max.) 160mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN05C20SG N N/A Trench 20 ±12 5 0.4 1 20mΩ(Max.) 28mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN05C20SG P N/A Trench -20 ±12 -5 -0.4 -1 26mΩ(Max.) 35mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN6601CSG N N/A Trench 30 ±20 3.6 1.2 2.2 35mΩ 45mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6601CSG P N/A Trench -30 ±20 -2 -1 -2.5 70mΩ 100mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6807CSG N N/A Trench 30 ±12 5.8 0.7 1.4 21mΩ 26mΩ SOT-23-6 EP 申请样品
TN6807CSG P N/A Trench -30 ±20 -4.5 -1 -3 48mΩ 60mΩ SOT-23-6 EP 申请样品
TN6847CSG N N/A Trench 30 ±20 5.8 1.2 2.4 25mΩ 32mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6847CSG P N/A Trench -30 ±20 -4.5 -1 -3 48mΩ 60mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN06C40SG N N/A Trench 40 ±20 6.5 1 2.5 40mΩ 60mΩ SOT-23-6 EP 申请样品
TN06C40SG P N/A Trench -40 ±20 -6 -1 -3 75mΩ 100mΩ SOT-23-6 EP 申请样品
TN1007CSG N N/A Trench 60 ±20 3 1 2.5 105mΩ 125mΩ SOT-23-6 MP 申请样品