首页 Products Field Effect Transistor (MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TN4602DNSG-S N Double N/A Trench 20 ±12 2 0.4 1.2 48mΩ 60mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN04DN20SG N Double N/A Trench 20 ±12 4 0.45 1 25mΩ 31mΩ SOT-23-6 EP 申请样品
TN4612DNSG N Double N/A Trench 20 ±10 6.5 0.5 1.2 20mΩ 25mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN8205JDNSG N Double N/A Trench 20 ±12 5 0.5 1.2 20mΩ 25mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN8205JDNSG-S N Double N/A Trench 20 ±12 4 0.5 1.2 23mΩ 28mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN2007DNSG N Double N/A Trench 20 ±12 6.5 0.5 1 17mΩ 20mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN8810DNSG N Double Y Trench 20 ±10 7 0.45 1 15mΩ 17mΩ 21mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6802DNSG N Double N/A Trench 30 ±20 3.6 1.2 2.2 36mΩ 58mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6800DNSG N Double N/A Trench 30 ±12 5.8 0.7 1.4 21mΩ 23mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6804DNSG N Double N/A Trench 30 ±12 5 1 2.5 22mΩ 28mΩ SOT-23-6 EP 申请样品
TN4601DPSG-S P Double N/A Trench -20 ±12 -2 -0.4 -1 100mΩ 140mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN6801DPSG P Double N/A Trench -30 ±12 -4.1 -0.6 -1.4 45mΩ 55mΩ SOT-23-6 MP 申请样品
TN4612LNSG N N/A Trench 20 ±12 6.5 0.4 1.2 20mΩ(Max.) 25mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN6400NSG N N/A Trench 30 ±12 6 0.7 1.4 28mΩ(Max.) 35mΩ(Max.) 40mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN10H03NSG N N/A Trench 100 ±20 3 1 2 225mΩ(Max.) 250mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TNG10H03NSG N N/A SGT 100 ±20 3 1 2.5 130mΩ(Max.) 190mΩ(Max.) SOT-23-6 MP 申请样品
TN04P20SG P N/A Trench -20 ±12 -4 -0.4 -1 26mΩ(Max.) 35mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN6415PSG P Y Trench -20 ±8 -4 -0.4 -1 50mΩ(Max.) 60mΩ(Max.) SOT-23-6 EP 申请样品
TN04P30SG P N/A Trench -30 ±20 -4 -1 -2.5 60mΩ(Max.) 87mΩ(Max.) SOT-23-6 MP 申请样品
TN04P30SG-L P N/A Trench -30 ±12 -4 -0.5 -1.5 45mΩ(Max.) 52mΩ(Max.) 78mΩ(Max.) SOT-23-6 MP 申请样品