首页 Products Field Effect Transistor (MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TN3400NSQ N N/A Trench 30 ±12 5.8 0.7 1.4 20mΩ 22mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN3404NSQ N N/A Trench 30 ±20 5.8 1.2 2.4 25mΩ 32mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN20N30SQ N N/A Trench 30 ±20 20 0.5 1.5 20mΩ@10V/15A 30mΩ@4.5V/15A SOT-89 MP 申请样品
TN20N60SQ N N/A Trench 60 ±20 20 1 2.5 35mΩ@10V/20A SOT-89 MP 申请样品
TN03N60SQ N N/A Trench 60 ±20 3 1 2.5 68mΩ 80mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN05N60SQ N N/A Trench 60 ±20 5 1.2 2.5 30mΩ 40mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN10N60SQ N N/A Trench 60 ±20 10 1 2.5 25mΩ 30mΩ SOT-89 EP 申请样品
TN10H02NSQ N N/A Trench 100 ±20 2 1.2 2.5 220mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN03N10SQ N N/A Trench 100 ±20 3 1 2 180mΩ 200mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN10H10NSQ N N/A Trench 100 ±20 10 1 2.5 92mΩ 99mΩ SOT-89 MP 申请样品
TN65H0A5NSQ N N/A Trench 650 ±20 0.5 0.5 1.5 30Ω(Max.) 30Ω(Max.) SOT-89 MP 申请样品
TN04P30SQ P N/A Trench -30 ±20 -4.5 0.5 1.4 43mΩ(Max.) 51mΩ(Max.) 78mΩ(Max.) SOT-89 EP 申请样品
TN05P30JSQ P N/A Trench -30 ±20 -5 0.6 1.2 60mΩ(Max.) 80mΩ(Max.) 115mΩ(Max.) SOT-89 EP 申请样品
TN10P30SQ P N/A Trench -30 ±20 -10 1 2.5 18mΩ(Max.) 30mΩ(Max.) SOT-89 EP 申请样品
TNG10P60SQ P N/A SGT -60 ±20 -10 1 2.5 76mΩ(Max.) 115mΩ(Max.) SOT-89 EP 申请样品
TN2302NSC N N/A Trench 20 ±12 4 0.5 1.2 23mΩ 30mΩ SOT-23-3 MP 申请样品
TN2312NSC N N/A Trench 20 ±10 6.8 0.5 1 18mΩ 22mΩ SOT-23-3 MP 申请样品
TN08N20SC N N/A Trench 20 ±12 8 0.5 1 14mΩ(Max.) 22mΩ(Max.) SOT-23-3 EP 申请样品
TN3402NSC N N/A Trench 30 ±12 4 0.5 1.4 36mΩ 39mΩ SOT-23-3 EP 申请样品
TN3402ANSC N N/A Trench 30 ±12 4 0.5 1.4 29mΩ 39mΩ SOT-23-3 MP 申请样品