首页 产品目录 场效应管（MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TN60H02NTF N N/A Planar 600 ±30 2 2 4 4500mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H04NTF N N/A Planar 600 ±30 4 2 4 2200mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H05NTF N N/A Planar 600 ±30 5 2 4 1800mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H07NTF N N/A Planar 600 ±30 7 2 4 1300mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H08NTF N N/A Planar 600 ±30 8 2 4 1050mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H10NTF N N/A Planar 600 ±30 10 2 4 900mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H12NTF N N/A Planar 600 ±30 12 2 4 740mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN60H20NTF N N/A Planar 600 ±30 20 2 4 400mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H04NTF N N/A Planar 650 ±30 4 2 4 2200mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H05NTF N N/A Planar 650 ±30 5 2 4 1900mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H07NTF N N/A Planar 650 ±30 7 2 4 1500mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H10NTF N N/A Planar 650 ±30 10 2 4 1000mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H12NTF N N/A Planar 650 ±30 12 2 4 800mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H18NTF N N/A Planar 650 ±30 18 2 4 550mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN65H20NTF N N/A Planar 650 ±30 20 2 4 420mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN70H07NTF N N/A Planar 700 ±30 7 2 4 1550mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN70H10NTF N N/A Planar 700 ±30 10 2 4 1100mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN70H15NTF N N/A Planar 700 ±30 15 2 4 650mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN70H18NTF N N/A Planar 700 ±30 18 2 4 600mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN70H20NTF N N/A Planar 700 ±30 20 2 4 500mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品