首页 Products Field Effect Transistor (MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TN30C30DL N N/A Trench 30 ±20 35 1 2.5 10mΩ(Max.) 15mΩ(Max.) PDFN3x3A-8L EP 申请样品
TN30C30DL P N/A Trench -30 ±20 30 -1 -2.5 18mΩ(Max.) 25mΩ(Max.) PDFN3x3A-8L EP 申请样品
TN60N30DN N N/A Trench 30 ±20 60 1 2.5 8.5mΩ(Max.) 13mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN70N30DN N N/A Trench 30 ±20 70 1 2.5 5.5mΩ(Max.) 7.4mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN80N30DN N N/A Trench 30 ±20 80 1 2.5 4.8mΩ(Max.) 6.5mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN90N30DN N N/A Trench 30 ±20 90 1 2.5 4mΩ(Max.) 6mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN120N30DN N N/A Trench 30 ±20 120 1 2.5 2.9mΩ(Max.) 4.3mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN150N30DN N N/A Trench 30 ±20 150 1 2.5 2.4mΩ(Max.) 3.5mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN20DN30DN N N/A Trench 30 ±20 20 1 2.5 15mΩ(Max.) 20mΩ(Max.) PDFN5x6A-8L EP 申请样品
TN65N40DN N N/A Trench 40 ±20 65 1 2.5 9mΩ(Max.) 12mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN80N40DN N N/A Trench 40 ±20 80 1 2.5 5.5mΩ(Max.) 7mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN120N40DN N N/A Trench 40 ±20 120 1 2.5 4.2mΩ(Max.) 6.2mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TNG140N40DN N N/A SGT 40 ±20 140 1 2.5 2mΩ(Max.) 3.2mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN150N40DN N N/A Trench 40 ±20 150 1 2.5 4mΩ(Max.) 5.5mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN180N40DN N N/A Trench 40 ±20 180 1 2.5 3mΩ(Max.) 4mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN30N60DN N N/A Trench 60 ±20 30 1 2.5 30mΩ(Max.) 38mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TNG40N60DN N N/A SGT 60 ±20 40 1 2.5 15mΩ(Max.) 20mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN50N60DN N N/A Trench 60 ±20 50 1 2.5 16mΩ(Max.) 20mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TNG50N60DN N N/A SGT 60 ±20 50 1 2.5 13mΩ(Max.) 15mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品
TN60N60DN N N/A Trench 60 ±20 60 1 2.5 12mΩ(Max.) 15mΩ(Max.) PDFN5x6-8L EP 申请样品