首页 Products Field Effect Transistor (MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TNG10H300NTL N N/A SGT 100 ±20 300 2 4 1.7mΩ TOLL MP 申请样品
TNG10H380NTL N N/A SGT 100 ±20 380 2 4 1.3mΩ TOLL EP 申请样品
TNG10H400NTL N N/A SGT 100 ±20 400 2 4 1.1mΩ TOLL EP 申请样品
TNG12H200NTL N N/A SGT 120 ±20 200 2 4 3.9mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG12H340NTL N N/A SGT 120 ±20 340 2 4 2.2mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG15H180NTL N N/A SGT 150 ±20 180 2 4 5.7mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG15H250NTL N N/A SGT 150 ±20 250 2 4 4.5mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG15H300NTL N N/A SGT 150 ±20 300 2 4 3.5mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG10H45NTF N N/A SGT 100 ±20 45 1 2.5 17.5mΩ(Max.) 22mΩ(Max.) TO-220F MP 申请样品
TN20H18LNTF N N/A Planar 200 ±20 18 1 2.5 150mΩ(Max.) TO-220F MP 申请样品
TN20H18NTF N N/A Planar 200 ±20 18 2 4 150mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN20H40NTF N N/A Planar 200 ±30 40 2 4 70mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H05NTF N N/A Planar 500 ±30 5 2 4 1500mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H09NTF N N/A Planar 500 ±30 9 2 4 850mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H10NTF N N/A Planar 500 ±30 10 2 4 750mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H13NTF N N/A Planar 500 ±30 13 2 4 550mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H15NTF N N/A Planar 500 ±30 15 2 4 450mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H18NTF N N/A Planar 500 ±30 18 2 4 310mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H20NTF N N/A Planar 500 ±30 20 2 4 280mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品
TN50H25NTF N N/A Planar 500 ±30 25 2 4 220mΩ(Max.) TO-220F EP 申请样品