首页 Products Field Effect Transistor (MOS)

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Type Channel ESD Process VDS(V) VGS(V) ID(A) VGS(th) Min.(V) VGS(th) Max.(V) RDS(on)@10VTyp. RDS(on)@4.5VTyp. RDS(on)@2.5VTyp. Package Status 申请样品
TN65H02NTE N N/A Planar 650 ±30 2 2 4 5.5Ω(Max.) TO-252 MP 申请样品
TN65H02CNTE N N/A Planar 650 ±30 2 2 4 5.3Ω(Max.) TO-252 MP 申请样品
TN65H04NTE N N/A Planar 650 ±30 4 2 4 2.5Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TN65H05NTE N N/A Planar 650 ±30 5 2 4 1.9Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TN65H07NTE N N/A Planar 650 ±30 7 2 4 1.4Ω(Max.) TO-252 MP 申请样品
TN70H04NTE N N/A Planar 700 ±30 4 2 4 2.8Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TN70H04BNTE N N/A Planar 700 ±30 4 2 4 3.2Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TN70H07NTE N N/A Planar 700 ±30 7 2 4 1.55Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TNJ65H08NTE N N/A SJMOS 650 ±30 8 2 4 0.64Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TNJ65H11NTE N N/A SJMOS 650 ±30 11 2 4 0.38Ω(Max.) TO-252 EP 申请样品
TNG300N30TL N N/A SGT 30 ±20 300 1 2.5 0.85mΩ(Max.) 1.4mΩ(Max.) TOLL MP 申请样品
TNG700N30TL N N/A SGT 30 ±20 700 1 2.5 0.28mΩ TOLL EP 申请样品
TNG250N40TL N N/A SGT 40 ±20 250 1 2.5 2mΩ(Max.) 3.2mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG320N40TL N N/A SGT 40 ±20 320 1 2.5 1.2mΩ(Max.) 1.7mΩ(Max.) TOLL MP 申请样品
TNG280N60TL N N/A SGT 60 ±20 280 2 4 1.6mΩ(Max.) TOLL MP 申请样品
TNG330N60TL N N/A SGT 60 ±20 330 2 4 1.7mΩ(Max.) TOLL MP 申请样品
TNG280N80TL N N/A SGT 80 ±20 280 2 4 1.9mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG350N80TL N N/A SGT 80 ±20 350 2 4 1.5mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG580N80TL N N/A SGT 80 ±20 580 2 4 0.9mΩ(Max.) TOLL EP 申请样品
TNG10H250NTL N N/A SGT 100 ±20 250 2 4 2mΩ TOLL EP 申请样品