时间:2025-11-18
据俄亥俄州立大学的一项新研究结果显示,一种用香菇代替硅基,从而架构新型忆阻器的技术成为可能,这种利用可生物降解的基底推进低功耗神经形态硬件研究具有广大前景。
俄亥俄州立大学的研究人员在一项跨越可持续性和神经形态计算前沿的新研究中,利用香菇菌丝体制造出了功能性忆阻器。这些“活体”忆阻器能够进行类似学习的行为,预示着未来计算基质可能具有可生物降解、自我生长和环境友好等特性。
研究人员认为,真菌忆阻器可以作为高频生物电子学的有用接口。
该团队的研究论文概述了一种可重复且低成本的真菌基存储元件的培养和测试方法。这项研究的潜在应用范围广泛,涵盖人工智能硬件到航空航天电子产品等领域,有望成为生物计算机发展史上的一个重要里程碑。
这项研究的核心在于利用蘑菇菌丝体这种分枝状的丝状菌丝网络,它以其结构完整性和生物智能而闻名。在一系列对照实验中,香菇孢子在营养丰富的培养基中培养,直至菌丝体覆盖整个培养皿。菌丝体完全发育后,对其进行脱水处理,形成稳定的盘状结构,然后再进行复水处理,以恢复其导电性。
每个样本都生长出菌丝网络,并与传统电子元件相连。
研究人员将这些重组真菌样本连接到常规电子设备上,并评估其忆阻特性。他们对样本施加一系列电压输入,同时记录不同频率下的电流-电压特性。正如忆阻器理论所预测的那样,真菌基质表现出收缩的磁滞回线,尤其是在低频和高电压下,这表明其电阻状态可变,类似于生物大脑中的突触可塑性。
在 10 Hz、峰峰值为 5 V 的正弦波信号下,样品的忆阻器精度达到了 95%,取得了突出成果。即使在高达 5.85 kHz 的高频下,这些器件仍保持了 90% 的精度,使其成为实时计算应用的理想选择。
一、何为热阻?
MOSFET的热阻(Rth)是用来表现器件散热能力的参数。
器件在工作时,芯片内部会产生大量的热量,这些热量会传向与其接触的物质,如与之粘连的金属导片(框架),以及包裹其的塑封料,而这些材料会阻碍芯片的热量传递过来,衡量这种阻热能力强弱的参数,就是热阻Rth,其单位是℃/W,越小越好。
热阻分为两种:Rthj-a与Rthj-c,即Rthj-a(Juntion-to-Ambience)与Rthj-c(Junction-to-case);
前者表示以芯片表面到周围环境的热阻,芯片作为一个系统,其他所有条件(封装、金属框架、电路板、空气流通等等)作为另一个系统,主要定性地用来评估器件的散热能力,如图1所示;
后者表示芯片表面到塑封体表面传热时受到的热阻,其只与封装材料(塑封料、框架)相关,可以定量评估器件散热能力,如图2所示。
二、理解
热学参数与电学参数有着完美的对应关系,一如热阻与电阻,如下表:
其公式1为:
其中,λ是介质的热导率;d是介质的厚度;A是介质的横截面积;
根据决定式,MOSFET器件热阻主要与以下因素有关:
①芯片面积
芯片的面积越大,热阻越低。
例如,一个较大面积的MOSFET芯片,相同封装外形其热阻通常会比面积小的芯片低。
②芯片厚度
芯片越薄,热量从芯片内部(PN结处)传递到芯片表面的距离越短,热阻就越小。
③芯片材料
不同的半导体材料热导率λ不同,热导率越高热阻越小。
例如,硅(Si)的热导率比碳化硅(SiC)低,因此硅材料制成的MOSFET芯片,相比于碳化硅热阻较高。
④封装外形
不同的封装外形其热传导路径、散热面积、材料特性及结构设计不同,热阻也就不同。
公式2:
其中,Ta表示环境温度,或者结壳温度,Tb表示结温,△T是介质两侧温差;P是流过介质的热流;
在MOSFET器件中,P表示电流流过器件时产生的功耗,可以根据定义式进行热阻的测量。
三、意义
功率MOSFET器件通常工作在大电压、大电流下,很容易发热,如果这些热量不能及时的散发出去,就会导致器件内部温度升高,严重时会造成永久性的损坏。
因此,提高其散热能力、降低器件的热阻对于器件的正常工作非常重要。
台奕半导体公司,多年来一直深耕功率MOSFET与模拟芯片领域,本次我们就以台奕的特色型号TN3401PSA(完美替代市面上常见的3401MOS管)型号为例,演示我司测试该参数所使用的方法。
四、测试方法
已知热阻(Rth)的定义式为:
环境温度Tb通常容易获得,一般定为25℃,而关键参数结温Ta该如何获得呢?
在这之前,需要用一个实验测出在固定结温下,而P MOSFET器件TN3401PSA关键参数的数值(有VTH、VFSD、RDON等),再在改变结温的情况下,得出一组该参数随结温变化的数据,然后得出参数与结温的定量关系曲线图,那么后期就可以通过该关键参数的值,反得出该关键参数值下,所对应的结温了。
①、绘制关系曲线图:
本文采用测试VF(TN3401PSA寄生二极管的压降)随温度变化的办法,来得出该关系曲线图,实验如下:
将TN3401PSA管放入一个装有油的容器中,通过加热油,从而加热器件整体的温度,等器件整体的温度上升到与油温一样时(一定时间,系统温度情况稳定后),内部结温也就等于油温了,此时测试该温度下,对应的VF值,通过改变油温的值,测试不同温度对应的VF,即可得到个温度下VF的变化曲线图。
经过实验,得到曲线图如下:
②、测试热阻:
以测试Rthj-c为例,在室温条件下(Tc=25℃),将MOSFET器件平放在散热板上,通过功率输出设备将特定的脉冲功率信号加到器件上(P),使器件加热升温,每个周期采集器件的特征参数值,当参数值达到平衡后(表征器件产热量等于散热量,结温不在随时间而变化),此时记录下器件表壳的温度Ta。
根据之前的结温校验测试曲线,可以得到相应的结温Tb,此时我们可以计算出终TN3401PSA的热阻Rthj-c值:
根据每个周期收集的特征参数值,可以得到TN3401PSA(不同占空比条件下)瞬态热阻随时间的变化曲线,如下图,占空比从下到上依次加宽:
由该图可知:
初始阶段:热阻上升阶段,该阶段,芯片本身温度不均衡,PN结处温度大于其他部分温度,因此热量从芯片内部PN结处传导至芯片表面,其热阻大小主要由芯片内部(材质)决定;
中间阶段:热阻上升,热量从芯片传导至封装外壳,主要由焊料(锡膏等)及封装材料等热阻决定;
稳态阶段:热阻趋于恒定值,热量通过所有热传导路径(芯片→焊料→封装→外壳)散发至环境,各层热阻均被激活,对应各层热阻之和。
结论:
台奕特色MOS产品TN3401PSA热响应曲线通过时间维度的热阻变化,反映了其内部的热传导机制;
该测试参数不仅用于台奕公司对TN3401PSA管子热阻的精确测量,更可指导态热响封装设计优化及工艺缺陷排查,使我们在工艺层面,多次对TN3401PSA进行了改进,使其一步步成为品质优于其他厂商的特色产品。